Firmy IBM a Samsung společně pracují na slibné technologii polovodičů
Nový design VTFET by mohl znamenat průlom pro několik odvětví
Zvýší se výdrž baterie u telefonů nebo sníží energetická náročnost těžby kryptoměn
Žijeme v době, ve které jde vývoj technologií neuvěřitelně dopředu. Zatímco před pár lety byl největší technologický výkřik obyčejný CRT monitor, nyní se nestačíme divit, s čím výrobci přichází na denní bázi. Společnosti IBM a Samsung oznámily nejnovější pokrok v návrhu polovodičů. Jde o inovativní způsob, jak naskládat tranzistory na čip a tím zvýšit efektivitu.
IBM a Samsung pracují na slibné technologii VTFET
Nový design, který se označuje zkratkou VTFET, má nahradit současnou technologii (FinFET), která by mohla být brzy „zastaralá“. A to i přes to, že ji momentálně využívají nejpokročilejší čipy na trhu. Princip designu spočívá v tom, že inženýři naskládají tranzistory svisle, což by mělo umožnit ideálnější proudění vzduchu (nahoru a dolů místo ze strany na stranu).
I když je designový návrh VTFET stále v plenkách, tak společnosti IBM a Samsung říkají, že půjde o naprostou bombu. Čipy nové generace mohou nabídnout až dvojnásobné zlepšení výkonu nebo dokonce 85% snížení spotřeby energie ve srovnání s technologií FinFET.
Obě společnosti také uvádí pár praktických ukázek toho, proč je metoda VTFET tak dobrá. Nastolili například myšlenku baterií mobilních telefonů, které mohou vydržet na jediné nabití až týden. Vrací se snad staré dobré časy modelů jako Nokia 3310? Ne, půjde stále o velice výkonné stroje, nicméně s nižší energetickou náročností.
Méně náročné na energii mohou být nadále i přístroje, které těží kryptoměny nebo se věnují šifrování dat. Může to být taktéž významný prvek pro určité produkty na bázi sítě IoT. Uplatnění lze také najít u vesmírných lodí.